سامسونگ فاندری جدول زمانی گره‌های پیشرفته را بازتنظیم کرد

سامسونگ فاندری عرضهٔ گرهٔ SF1.4 (کلاس 1.4nm) را از 2027 به 2029 منتقل کرده و منابع خود را در سه سال آینده روی تکمیل و افزایش بازده خانوادهٔ SF2 (کلاس 2nm) متمرکز می‌سازد. این شرکت همچنین اعلام کرده از گرهٔ SF1A (کلاس 1nm) به بعد قصد دارد از لیتوگرافی EUV با عدد دهانهٔ بالا (High-NA) استفاده کند.

علل عقب‌افتادن SF1.4 و اولویت‌بندی SF2

تأخیر نشان می‌دهد سامسونگ حرکت در مرزهای فناوری را کند کرده تا بازده تولید و حجم تراشه‌های خانوادهٔ SF2 را بهبود بخشد. یکی از دلایل اصلی، تضمین تداوم تأمین برای مشتریان راهبردی است؛ این شرکت قراردادهای تأمین پردازنده‌هایی مانند AI5 و AI6 را تا 2033 دارد و پایداری تولید و بازده برای آن اهمیت بالایی دارد.

ورود تدریجی High-NA EUV و پیامدهای فنی

سامسونگ اعلام کرده ابزارهای High-NA را برای تولید انبوه در گره‌های 2nm یا 1.4nm فعلاً به‌کار نخواهد برد و برنامه‌ریزی برای استفادهٔ این تکنولوژی در فرایندهای کلاس 1nm را در حوالی 2030 گذاشته است. پیش‌تر این شرکت یک دستگاه ASML Twinscan EXE:5000 با اپتیک 0.55 NA خریداری و برای پژوهش استفاده کرده، اما بهبود ابزار، مواد و متدولوژی هنوز لازم است.

خط تولید و تجهیزات لیتوگرافی سامسونگ فاندری

دو مسیر هم‌زمان: نسخهٔ ارتقا یافتهٔ SF1.4 و گرهٔ 1nm مبتنی بر High-NA

رویکرد سامسونگ شامل دو مسیر فناوری است: یک نسخهٔ ارتقا یافتهٔ SF1.4 که بر پایهٔ فرایندهای اثبات‌شدهٔ Low-NA EUV و چندالگویی کار می‌کند، و یک گرهٔ 1nm که مبتنی بر High-NA EUV و الگوگذاری تک‌الگویی خواهد بود. هدف، پوشش نیازهای متنوع بازار و کاهش ریسک تولید است.

موانع فنی و هزینه‌ای برای High-NA

  • هزینه ابزار: تجهیزات High-NA بسیار گران‌تر از سیستم‌های 0.33-NA فعلی هستند و هزینهٔ سرمایه‌گذاری کارخانه و قیمت تمام‌شدهٔ تراشه را افزایش می‌دهند.
  • محدودیت میدان تابش: میدان کوچک‌تر نیاز به دوختن دی‌ها برای تراشه‌های بزرگ دارد که طراحی را پیچیده کرده و برخی مزایای عملکردی را کاهش می‌دهد.
  • نیاز به اکوسیستم جدید: High-NA مستلزم فوتورزیست‌های ویژه، ماسک‌های متفاوت، پلیکل‌های جدید، روش‌های بازرسی و ابزارهای لیتوگرافی محاسباتی است؛ تکمیل این اکوسیستم زمان و سرمایه می‌طلبد.

موقعیت سامسونگ در چشم‌انداز جهانی

شرکت‌های دیگر نیز مسیرهای متفاوتی دنبال می‌کنند: Intel برنامه‌هایی برای استفاده از High-NA در برخی فناوری‌های 14A دارد و TSMC ورود گسترده‌تر به High-NA را برای دههٔ 2030 برنامه‌ریزی کرده است. زمان‌بندی مهاجرت از چندالگویی 0.33-NA به الگوگذاری تک‌الگویی، تصمیمی استراتژیک با ملاحظات هزینه، عملکرد و زنجیرهٔ تأمین است.

پیامدها برای مشتریان و زنجیرهٔ تأمین

  • برای مشتریان بزرگ، تضمین حجم و بازده تولید اولویت دارد؛ بنابراین پذیرش فناوری‌های نوین با رویکرد مدیریت‌شده صورت می‌گیرد.
  • تجربهٔ عملیاتی و آماده‌سازی اکوسیستم ماسک و فوتورزیست تعیین خواهد کرد کدام گره در عمل اقتصادی و قابل‌اتکا می‌شود.
  • در کوتاه‌مدت تمرکز بر SF2 می‌تواند به افزایش نرخ بازده و ظرفیت تولید منجر شود؛ در بلندمدت، ورود موفق High-NA بستگی به کاهش هزینه‌ها و حل مسائل فنی دارد.

برای مراجعهٔ پایه‌ای دربارهٔ شرکت‌ها و فناوری‌های مرتبط می‌توانید به صفحات Samsung Foundry، ASML و EUV lithography مراجعه کنید.