شرکت TSMC در جدیدترین گزارش مالی خود از پیشرفتهای چشمگیر در فرآیند ساخت A14 (کلاس 1.4 نانومتری) خبر داد. بر اساس این گزارش، بازده حافظه SRAM و عملکرد ترانزیستورها در این گره تولیدی به نزدیک 90 درصد رسیده است که رقم قابل توجهی محسوب میشود. این پیشرفت سریع نهتنها از برنامه زمانبندی اولیه جلوتر است، بلکه توجه مشتریان بزرگ حوزه گوشیهای هوشمند و محاسبات با کارایی بالا (HPC) و هوش مصنوعی (AI) را به خود جلب کرده است.
جزئیات عملکرد و بازده A14
به گفته سی.سی. وی، مدیرعامل TSMC، در کنفرانس درآمد این شرکت: «توسعه فناوری A14 در مسیر درست قرار دارد و به خوبی پیش میرود. یک محصول آزمایشی داخلی نزدیک به 90 درصد عملکرد دستگاه و نزدیک به 90 درصد بازده SRAM 256 مگابایتی را نشان داد.» این در حالی است که در آوریل 2025، این شرکت اعلام کرده بود که عملکرد ترانزیستورها به بیش از 85 درصد و بازده SRAM به بیش از 80 درصد رسیده است. تنها سه ماه بعد، هر دو شاخص حدود 5 تا 10 درصد بهبود یافتهاند.
مقایسه با فرآیند N2
برای درک بهتر این پیشرفت، مقایسه با نسل قبلی یعنی N2 (2 نانومتر) مفید است. در آوریل 2023، N2 بیش از 80 درصد عملکرد دستگاه هدف و بیش از 50 درصد بازده SRAM را نشان میداد. یک سال بعد، این ارقام به ترتیب به بیش از 90 درصد و بیش از 80 درصد رسیدند. اما A14 در مدت زمان بسیار کوتاهتری به این سطوح دست یافته است. به گفته تامز هاردویر، این نشان میدهد که A14 بسیار سریعتر از N2 در حال بلوغ است.
علت این سرعت را میتوان در تجربه انباشته TSMC در تولید ترانزیستورهای GAA نانوصفحه جستجو کرد. N2 اولین گره TSMC با استفاده از ترانزیستورهای GAA بود، در حالی که A14 از نسل دوم این ترانزیستورها بهره میبرد و از بهینههای طراحی و فرآیند حاصل از توسعه N2 استفاده کرده است.
چشمانداز تولید انبوه و استقبال مشتریان
A14 قرار است در نیمه دوم سال 2028 وارد تولید انبوه شود. اما با توجه به پیشرفت سریع، احتمال شروع زودهنگام تولید با حجم بالا (HVM) وجود دارد، مشروط بر اینکه طراحیهای مشتریان آماده باشند. سی.سی. وی در این باره گفت: «ما شاهد سطح بالایی از علاقه و مشارکت مشتریان در هر دو حوزه گوشیهای هوشمند و اچپیسی/هوش مصنوعی هستیم و فعالیت جدید tape-out مشتری در حال انجام و جلوتر از برنامه است.»
جالب اینجاست که A14 فاقد فناوری تحویل توان پشتی Super Power Rail است (که در گره A12 در سال 2029 ارائه خواهد شد)، اما با این حال توانسته توجه مشتریان محاسبات با کارایی بالا را جلب کند. این نشاندهنده اعتماد صنعت به عملکرد و بهرهوری بالای این گره است.
مشخصات فنی و بهبودهای مورد انتظار
TSMC انتظار دارد A14 در مقایسه با N2، افزایش عملکرد 10 تا 15 درصدی در همان توان و تعداد ترانزیستور، یا کاهش مصرف توان 25 تا 30 درصدی در همان فرکانس و پیچیدگی ارائه دهد. همچنین چگالی ترانزیستور برای طراحیهای ترکیبی حدود 20 درصد و برای منطق 23 درصد افزایش خواهد یافت. این بهبودها با ترکیب ترانزیستورهای GAA نسل دوم و معماری سلول استاندارد جدید حاصل میشود.
با وجود این ارقام امیدوارکننده، باید توجه داشت که بازده بالای SRAM صرفاً نشاندهنده چگالی نقص پایین در یک ساختار تکراری است و مستقیماً معرف بازده نهایی یک پردازنده تجاری نیست. با این حال، نزدیک بودن به مرز 90 درصد در این مرحله از توسعه، نویدبخش است.
منبع: Tom's Hardware
