رویترز آیشنگنا (Aishengna) در شانگهای را بهعنوان سازنده نخستین اسکنرهای لیتوگرافی غوطهوری DUV ساخت چین معرفی کرده است. هدف پروژه، آمادهسازی نمونههای عملیاتی برای گرههای پیشرفته مانند 7 نانومتر تا سال 2038 اعلام شده است.
آیشنگنا؛ شرکت دولتی تازهتأسیس با پشتوانه مهندسی داخلی
آیشنگنا در اوت 2023 با سرمایه ثبتشده 7 میلیارد یوان (حدود یک میلیارد دلار) تأسیس شد. تیمهایی از Shanghai Yuliangsheng Technology و Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) در آن ادغام شدهاند. گزارشها حاکی است آزمایشهای اولیه روی یک ابزار غوطهوری از سپتامبر 2025 در SMIC آغاز شده و تحویلهای اولیه برای SMIC، Hua Hong Semiconductor و ChangXin Memory Technologies برنامهریزی شده است.
زنجیره تامین؛ حلقههای ضعیف و نقاط بحرانی
ساخت اسکنر تنها بخشی از معادله است؛ فتورزیست، واحدهای پوششدهی و ظهور (coater/developer)، منابع نوری و اپتیکهای دقیق نیز تعیینکنندهاند. تامینکنندگان ژاپنی و اروپایی در بسیاری از قطعات کلیدی موقعیت غالب دارند و این موضوع محدودیتهای مهمی ایجاد میکند.
نقاط ضعف کلیدی زنجیره تأمین
- فتورزیست ArF غوطهوری: چهار بازیگر عمده—JSR، Tokyo Ohka Kogyo، Shin-Etsu و Fujifilm—حدود 72.5% بازار فتورزیست ArF را در اختیار دارند؛ سهم تامینکنندگان چینی از این بازار کمتر از 1% است.
- منابع لیزری اکسایمر: شرکتهایی مانند Cymer، Gigaphoton و Coherent بیش از 80% بازار را در اختیار دارند. Cymer از 2013 زیرمجموعه ASML است و جایگزین داخلی هنوز محدودیتهای فنی و ظرفیت دارد.
- اپتیک پروژکشن: Carl Zeiss SMT از دهه 1980 تامینکننده اصلی اپتیکهای دقیق برای ابزارهای پیشرفته بوده و توسعه جایگزینهای محلی چالشبرانگیز و زمانبر است.
توانمندیهای داخلی و وضعیت فعلی
چین در تولید فتورزیست و لیزر پیشرفتهایی داشته اما حجم و کیفیت تولید هنوز با بازیگران ژاپنی و اروپایی قابلرقابت نیست. شرکتهایی مانند Nata Opto-electronic و Xuzhou B&C پروژههایی برای تولید فتورزیست ArF دنبال کردهاند و Beijing RSLaser نمونههایی از لیزر اکسایمر 193 نانومتر توسعه داده است که برای نسلهای قدیمیتر مناسب است، اما از نظر توان و پایداری برای لیتوگرافی غوطهوری 28 نانومتر و بالاتر هنوز کفایت نمیکند.
پیامدها برای صنعت حافظه و تراشه چین
دسترسی به اسکنر غوطهوری داخلی برای تولیدکنندگان حافظه مانند CXMT (Changxin Memory Technologies)، که انتظار میرود تا پایان 2026 به حدود 350,000 شروع ویفر در ماه برسند، اهمیت بالایی دارد. در غیاب EUV، تولید مبتنی بر DUV نیازمند چندالگوگرایی بیشتر است: جریان تولید 7 نانومتری با DUV ممکن است به حدود 19 ماسک چندالگوگر نیاز داشته باشد، در حالی که فرایند مبتنی بر EUV به حدود 10 ماسک میرسد؛ این تفاوت بر هزینه، پیچیدگی و زمان توسعه تأثیر میگذارد.
چالشهای تجاری و مقرراتی
تحریمها و کنترل صادرات ابزارهای لیتوگرافی پیشرفته عامل مهمی در تسریع برنامههای خوداتکایی شدهاند. سهم چین از فروش ASML در سهماهه دوم 2026 کاهش یافته و قوانین صادراتی جدید مانند H.R. 8170 (قانون MATCH) میتواند دسترسی به قطعات و خدمات را محدودتر کند. نتیجه این محدودیتها فشار اضافی بر زنجیره تأمین داخلی و وابستگی به توانمندیهای داخل خواهد بود.
جمعبندی و چشمانداز
معرفی آیشنگنا نشاندهنده اراده چین برای کاهش وابستگی به واردات است، اما تبدیل نمونههای اولیه به اکوسیستمی کامل و رقابتی زمانبر است. نقطهعطف واقعی زمانی است که زنجیره تأمین فتورزیست، لیزر و اپتیک به سطح بلوغ و ظرفیت لازم برای تولید انبوه در گرههای 14 تا 7 نانومتر برسد؛ تا آن زمان تولیدکنندگان پیشرو با انتخاب بین سرمایهگذاری گسترده در داخلیسازی یا ادامه وابستگی محدودتر مواجه خواهند بود.
منابع و مطالعه بیشتر: گزارش رویترز و صفحات ASML، Tokyo Electron و SMIC.
